OST Photonics supply all types of single crystal materials and substrates for researchers and industries, the table below lists the materials we can supply.

Type

High Temperature Superconducting(HTS) Thin Film Substrate

Magnetic and Ferroelectricity Thin Film Substrate

GaN Epitaxial Thin Film Substrate

Semiconductor Substrate

Halide Crystal Substrate

Material

LaAlO3, LSAT, SrTiO3, MgO, YSZ, KTaO3, SrLaAlO4, YAlO3, MgAl2O4 

LaAlO3, LSAT, SrTiO3, Nb:SrTiO3, Fe:SrTiO3, Nd:SrTiO3, Al2O3, MgAl2O4, GGG, TiO2, TGG  

Al2O3, Si, GaAs, LiAlO2, MgAl2O4, SiC, ZnO, GaN

Si, Ge, GaAs, InP, InAs, GaSb

NaCl, KCl, KBr

(1) High Temperature Superconducting(HTS) Thin Film Substrate

Material

Structure

Orientation

Melting Point

Density 

Hardness

Index of Refraction

Thermal Expansion Coefficient (/K)

Dielectric Constants

Maximum Size

Typical Size

LaAlO3

≈Cubic

a=3.821Å

<100>

<110>

<111>

2100℃

6.52 g/cm3

6.5 Mohs

1.80

9.2 x 10^-6

24.5

Φ3″

Φ3″ x 0.5 mm

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

LSAT

(LaAlO3)0.3
(Sr2AlTaO8)0.7

Cubic

a=3.868Å

<100>

<110>

<111>

1840℃

6.74 g/cm3

6.5 Mohs

 

10 x 10^-6

22

Φ2″

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

SrTiO3

Cubic

a=3.90Å

<100>

<110>

<111>

2050℃

5.175 g/cm3

6 Mohs

2.409

10.4 x 10^-6

300

Φ30 mm

10 x 10 x 0.5 mm

10 x 5 x 0.5 mm

MgO

Cubic

a=4.216Å

<100>

<110>

<111>

2852℃

3.58 g/cm3

5.5~6 Mohs

1.58

12.8 x 10^-6

9.80

50 x 50 mm

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

YSZ

Cubic

c=5.125Å

<100>

<110>

<111>

2500℃

5.80 g/cm3

7 Mohs

1.96

10.3 x 10^-6

27

Φ2″

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

KTaO3

Cubic

a=3.984Å

<100>

<110>

<111>

1352℃

7.03 g/cm3

6 Mohs

2.00

4.03 x 10^-6

 

20 x 20 mm

20 x 20 x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

10 x 5 x 0.5 mm 

SrLaAlO4

M4

a=3.756Å

c=12.63Å

<001>

1650℃

5.92 g/cm3

6 Mohs

 

<100> 10.05 x 10^-6

<001> 18.9 x 10^-6

16.8

Φ20 mm

10 x 10 x 0.5 mm

10 x 5 x 0.5 mm

YAlO3

Orthorhombic

a=5.1796Å

b=5.3286Å

c=7.3706Å

<100>

<010>

<001>

1870℃

5.37 g/cm3

8.5 Mohs

 

4.2 x 10^-6//a  

11.7 x 10^-6//b

5.1 x 10^-6//c

 

Φ30 mm

10 x 10 x 0.5 mm

Φ30 x 0.5 mm

MgAl2O4

Cubic

a=8.083Å

<100>

<110>

<111>

2130℃

3.60 g/cm3

7.5~8 Mohs

1.71

 

9.65

Φ2″

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

(2) Magnetic and Ferroelectricity Thin Film Substrate

Material

Structure

Orientation

Melting Point

Density 

Hardness

Index of Refraction

Thermal Expansion Coefficient (/K)

Dielectric Constants

Maximum Size

Typical Size

LaAlO3

≈Cubic

a=3.821Å

<100>

<110>

<111>

2100℃

6.52 g/cm3

6.5 Mohs

1.80

9.2 x 10^-6

24.5

Φ3″

Φ3″ x 0.5 mm

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

LSAT

(LaAlO3)0.3
(Sr2AlTaO8)0.7

Cubic

a=3.868Å

<100>

<110>

<111>

1840℃

6.74 g/cm3

6.5 Mohs

 

10 x 10^-6

22

Φ2″

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

SrTiO3

Cubic

a=3.90Å

<100>

<110>

<111>

2050℃

5.175 g/cm3

6 Mohs

2.409

10.4 x 10^-6

300

Φ30 mm

10 x 10 x 0.5 mm

10 x 5 x 0.5 mm

Nb:SrTiO3

Fe:SrTiO3

Nd:SrTiO3

Cubic

a=3.90Å

<100>

<110>

<111>

2050℃

5.175 g/cm3

6 Mohs

2.409

10.4 x 10^-6

300

Φ30 mm

10 x 10 x 0.5 mm

10 x 5 x 0.5 mm

Al2O3

M6

a=4.758Å

c=12.99Å

<0001>

<11-20>

<10-10>

<1-102>

2040℃

3.97 g/cm3

9 Mohs

1.77

7.50 x 10^-6

9.4@A-axis

11.58@C-axis

Φ180 mm

Φ50.8 x 0.5 mm

Φ100 x 0.5 mm 

10 x 10 x 0.5 mm

MgAl2O4

Cubic

a=8.083Å

<100>

<110>

<111>

2130℃

3.60 g/cm3

7.5~8 Mohs

1.71

7.45 x 10^-6

 

Φ2″

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

GGG

Cubic

a=12.37Å

<100>

<110>

<111>

1860℃

7.05 g/cm3

6~7 Mohs

1.95

  

Φ2″

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

TiO2

M4

a=4.593Å

c=2.958Å

<100>

<001>

<110>

<111>

1840℃

4.26 g/cm3

7 Mohs

2.72

  

Φ23~25 mm 

10 x 10 x 0.5 mm

10 x 5 x 0.5 mm

TGG

Cubic

a=12.355

Å

<100>

<110>

<111>

1725℃

7.13 g/cm3

8 Mohs

1.954

  

Φ30 mm

Φ30 x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

5 x 5 x 10 mm

(3) GaN Epitaxial Thin Film Substrate

Material

Structure

Orientation

Melting Point

Density 

Hardness

Thermal Expansion Coefficient (/K)

Lattice Mismatch for GaN

Maximum Size

Typical Size

Al2O3

M6

a=4.758Å

c=12.99Å

<0001>

<11-20>

<10-10>

<1-102>

2040℃

3.97 g/cm3

9 Mohs

7.50 x 10^-6

16.1%@<0001>

Φ180 mm

Φ50.8 x 0.5 mm

Φ100 x 0.5 mm 

10 x 10 x 0.5 mm

Si

Cubic

a=5.0430Å

<100>

<110>

<111>

1415℃

2.33 g/cm3

5.5~6 Mohs

2.59 x 10^-6

20.5%@<111>

50 x 50 mm

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

GaAs

Cubic

a=5.653Å

<100>

1238℃

5.31 g/cm3

6.5 Mohs

5.75 x 10^-6

19.9%@<111>

Φ4″

Φ4″ x 0.625mm

Φ2″ x 0.35mm

LiAlO2

M4

a=5.17Å

c=6.26Å

<100>

<001>

<110>

<111>

1900℃

2.62 g/cm3

7.5 Mohs

7.1 x 10^-6

1.4%@<100>

Φ2″

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

MgAl2O4

Cubic

a=8.083Å

<100>

<110>

<111>

2130℃

3.60 g/cm3

7.5~8 Mohs

7.45 x 10^-6

9%@<111>

Φ2″

Φ2″ x 0.5 mm

10 x 10 x 0.5 mm

SiC

M6

a=3.080Å

c=15.12Å

<0001>

<11-20>

<10-10>

2830℃

3.217 g/cm3

9.2 Mohs

4.2 x 10^-6@c

3.5%@<0001> 

Φ4″

Φ2″ x 0.33 mm

10 x 10 x 0.33 mm

ZnO

M6

a=3.325Å

c=5.213Å

<0001>

<11-20>

<10-10>

1975℃

5.605 g/cm3

4.5 Mohs

2.92 x 10^-6@c

2.0%@<0001>  

Φ25 mm 

10 x 10 x 0.5 mm

20 x 20 x 0.5 mm

GaN

M6

a=0.3189Å

c=0.5186Å

<0001>

1700℃

6.1 g/cm3

8 Mohs

3.17 x 10^-6@c

5.59 x 10^-6@a

0%@<0001>

Φ2″

Φ2″ x 0.3 mm

10 x 10 x 0.3 mm

(4) Semiconductor Substrate

Material

Structure

Orientation

Melting Point

Density 

Band Gap

Conductivity Type

Dopant

Resistivity

Maximum Size

Typical Size

Si

Cubic

a=5.0430Å

<100>

<110>

<111>

1415℃

2.33 g/cm3

1.124 ev

N or P

undoped

>1000 Ώ.cm

Φ6″

Φ2″ x 0.5 mm

Φ3″ x 0.5 mm

Φ4″ x 0.5 mm

N

P

0.001~40 Ώ.cm

P

B

100~10000 Ώ.cm

Ge

Cubic

a=5.6575Å

<100>

<110>

<111>

937.4℃

5.323 g/cm3

0.66 ev

/

undoped

>30 Ώ.cm

Φ4″

Φ2″ x 0.5 mm

Φ3″ x 0.5 mm

Φ4″ x 0.5 mm

N

Sb

0.01~30 Ώ.cm

P

In or Ga

0.01~30 Ώ.cm

GaAs

Cubic

a=5.653Å

<100>

1238℃

5.31 g/cm3

1.424 ev

N

undoped

>10^7 Ώ.cm

Φ4″

Φ2″ x 0.35 mm

Φ4″ x 0.625 mm

Si

<0.1 Ώ.cm

InP

Cubic

a=5.869Å  

<100>

1600℃

4.79 g/cm3

1.344 ev

N

undoped

 

Φ3″

Φ2″ x 0.5 mm

Φ3″ x 0.5 mm

S or Fe

 

P

Zn

 

InAs

Cubic

a=6.058Å

<100>

942℃

5.66 g/cm3

0.45 ev

N

undoped

 

Φ3″

Φ2″ x 0.5 mm

Φ3″ x 0.5 mm

S or Sn

 

P

Zn

 

GaSb

Cubic

a=6.094Å

<100> 

712℃

5.53 g/cm3

0.67 ev

P

undoped

 

Φ3″

Φ2″ x 0.5 mm

Φ3″ x 0.5 mm

Zn

 

N

Te

 

(5) Halide Crystal Substrate

Material

Structure

Orientation

Melting Point

Density 

Transmission Range

Typical Size

NaCl

Cubic

a=5.642Å

<100>

<110>

<111>

804℃

2.16 g/cm3

0.26~22 um

10 x 10 x 2.0 mm

20 x 20 x 2.0 mm

KCl

Cubic

a=6.291Å

<100>

<110>

<111>

770℃

1.98 g/cm3

0.20~27.5 um

10 x 10 x 2.0 mm

20 x 20 x 2.0 mm

KBr

Cubic

a=5.596Å

<100>

<110>

<111>

734℃

2.75 g/cm3

0.20~34 um

10 x 10 x 2.0 mm

20 x 20 x 2.0 mm